RAM-Vergleich Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 48

Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.4 10.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 8.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14200

Rund um 1.35 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2357 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns