Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 48
    Wokół strony -92% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 14200
    Wokół strony 1.35 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR5
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    48 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2357 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania