Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 48
    左右 -92% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 14200
    左右 1.35 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR5
  • PassMark中的延时,ns
    48 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • 写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • 内存带宽,mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2357 left arrow 3419
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