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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparez
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
48
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14200
Autour de 1.35 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR5
Latence dans PassMark, ns
48
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
19200
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
no data
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2357
3419
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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