Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Note globale
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 48
    Autour de -92% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 14200
    Autour de 1.35 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latence dans PassMark, ns
    48 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2357 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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