Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 48
    Por volta de -92% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 14200
    Por volta de 1.35 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latência em PassMark, ns
    48 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2357 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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