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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparar
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
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Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
48
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14200
Por volta de 1.35 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR5
Latência em PassMark, ns
48
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
14200
19200
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
no data
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2357
3419
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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