Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    48 left arrow 55
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 8.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    48 left arrow 55
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14200 left arrow 14200
Other
  • Descrizione
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2357 left arrow 2207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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