Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB против Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Средняя оценка

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 55

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.6 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 8.0

Среднее значение в тестах

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

48 55
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 9.8
Скорость записи, Гб/сек

8.1 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 14200

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

no data no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2357 2207

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

модули RAM

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM