RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
73
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
1822
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link