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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
3491
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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