RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
72
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
72
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1817
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link