RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
72
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1817
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link