RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2318
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link