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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2648
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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