RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2648
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link