RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3098
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link