RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
8.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3098
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link