RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
60
Intorno 42% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
60
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2554
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link