RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
60
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
60
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2554
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link