RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2554
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link