RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
2148
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link