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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
3206
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparações de RAM
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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