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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.0
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
2266
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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