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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
48
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2852
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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