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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2098
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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