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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
41
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
41
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
1855
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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