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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
3075
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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