RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
3075
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link