Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Pontuação geral
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 40
    Por volta de -82% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.7 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.7 left arrow 7.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    40 left arrow 22
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 17.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.8 left arrow 12.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1806 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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