RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
43
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2855
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link