RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
86
Por volta de 50% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
86
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
1658
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link