RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
86
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
86
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1658
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link