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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
75
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
75
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
1763
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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