RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
75
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1763
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link