RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4051
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link