RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
96
Wokół strony -357% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2950
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link