RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2779
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CML32GX3M4A1866C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link