RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
79
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8800
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
79
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
21300
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
1651
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link