RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
79
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
2,475.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8800
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
79
Скорость чтения, Гб/сек
4,878.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,475.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8800
21300
Other
Описание
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
598
1651
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Сравнения RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link