RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
25
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
3437
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link