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PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2562
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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