RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2580
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link