RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
35
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
11.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
11.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
2580
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link