RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2580
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link