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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
51
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2570
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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