RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
51
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2570
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link