RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link