Comparação RAM Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Pontuação geral

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 58

Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.8 9.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.5 15.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2646 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns