RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
64
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
64
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2052
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link