RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
64
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2052
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link