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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
34
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2803
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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