RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
85
Por volta de 73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
85
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
1118
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link