RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
85
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
85
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
1118
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link